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光刻技术是用于制造超大规模集成电路的核心技术之一。现代集成电路制造业基本按照摩尔定律在不断发展，芯片的特征尺寸(CriticalDimension，简称CD)不断缩小，光刻技术也经历了从g线光刻、i线光刻、深紫外(Deep Ultraviolet，简称DUV)光刻到极紫外(ExtremeUltraviolet，简称EUV)光刻的发展历程。在不同的光刻技术节点中，可能需要采用不同的光刻系统进行集成电路制造。

投影式光刻技术由于其分辨率高，不玷污掩模版，重复性好的特点，被广泛地应用于目前的超大规模集成电路量产过程中。在采用193nm光源波长的DUV光刻技术和采用13 .5nm的EUV光刻技术中，光刻系统利用光源照射透射式或反射式掩模，随后光线通过透射式或反射式的投影物镜将掩模上的集成电路版图复刻在表层涂有光刻胶的硅片上。为了提高光刻系统的成像性能，近年来已经开发出来多种新的光刻分辨率增强技术(ResolutionEnhancementTechnique，简称RET)，如相移掩膜(Phase ShiftingMask)技术、离轴照明(Off-axis Illumination)技术、光学邻近效应校正(Optical Proximity Correction，简称OPC)技术、驻波效应校正(Stand WaveCorrection)技术等，其中OPC是一种重要的计算光刻技术。它通过优化掩模图形调制掩模的衍射近场和远场，从而补偿由衍射和干涉效应。

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